ALD-Membranventil (ALD6L-WS11-4-CF3), Edelstahl, 1 1/8" W-Seal für Plattenmontage, 10 bar max., pneu

ALD-36L-WS11-CF3

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Material:	Edelstahl 1.4404 / SS 316L
Anschlusstyp 1:	W-Seal
Anschlussgröße 1:	1 1/8 "
Anschlusstyp 2:	W-Seal
Anschlussgröße 2:	1 1/8 "
Ventilart:	Standard
Maximaler Druck:	10 bar / 145 psi
Maximale Temperatur:	120 °C
Durchflusskoeffizient (Cv):	0.27
pneumatischer Antriebsdruck:	4, 2 ~ 6,2 bar (60 ~ 90 psig)
Bauweise:	Geschlossen
Reinigung:	F3 - ultrahochreiner Prozess (FC-03)

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Produktinformationen

Überblick:

Atomic Layer Deposition (ALD) ist ein Verfahren zum Aufbringen von dünnen Schichten auf verschiedene Substrate mit atomarer Präzision. Da die Abmessungen der Chipknoten kontinuierlich schrumpfen, stoßen herkömmliche Abscheidetechniken an ihre Grenzen.

Die Abscheidung ultradünner Schichten im Nanobereich erfordert die Atomic Layer Deposition (ALD)-Technologie, die es ermöglicht, Materialien jeweils atomarschichtig abzuscheiden. Membranventile der ALD-Serie werden verwendet, um während des Abscheidungsprozesses zur Herstellung von Halbleiterchips hochpräzise Gasdosen zu liefern.

Eigenschaften:

Ultrahohe Zyklenlebensdauer mit High-Speed-Betätigung
Schnelle Reaktion mit Ventilöffnungs- oder -schließzeit von weniger als 5 ms
Thermischer Aktuator verlängert die Lebensdauer in Anwendungen, bei denen der Körper erhitzt wird
Geschlossener Sitz für hervorragende Quell- und Schmutzbeständigkeit
Elgiloy-Membran für hohe Festigkeit und Korrosionsbeständigkeit für eine lange Lebensdauer
Sitz aus hochreinem PFA mit breitem Spektrum an chemischer Verträglichkeit
Minimale Partikelerzeugung und Totraum erleichtern das Spülen
Ventile mit induktiven Sensoren, Magnetventilbaugruppen, Heizpatronen und Thermoelementbohrungen sind erhältlich

Technsiche Daten:

	ALD-3	ALD-6
Durchflusscoefiizent (Cv)	0,27	0,62
Material	316L SS/ASTM A479 316L VAR/SEMI F20 316L VIM-VAR /SEMI F20
Max. Betriebsdruck	Vakuum bis 145 psig (10 bar)
pneum. Antriebsdruck	60 ~ 90 psig (4.2 ~ 6.2 bar)
Temperatur	Standard Ausführung: 32 ~ 248° F (0~120 °C) Thermale Ausführung: 32 ~ 392 F (0 ~ 200 C)
Öffnungsgröße	0,16 in. (4.1 mm)	0,24 in. (6 mm)
benetzte Oberflächenrauheit	5 Ra µin. (0,13 µm)
Polierprozess	elektropoliert
Helium-Leckrate	≤ 1 x 10-9 mbar l/s (intern & extern)

Anwendungsbereiche:

Geeignet für Atomic Layer Deposition (ALD)-Prozesse in den folgenden Halbleiterbereichen

High-K-Dielektrika und Metallgate
MEMS
Optoelektronische Materialien und Geräte
Diffusionsbarriere für integrierte Schaltkreis-Verbindungsleitungen
Flachbildschirm (organisches Leuchtdiodenmaterial, OLED)
Optisches Element
Solarzelle
Verschiedene Folientypen (<100 nm)