Überblick:
Atomic Layer Deposition - ALD ist ein Verfahren zum Aufbringen von dünnen Schichten auf verschiedene Substrate mit atomarer Präzision. Da die Abmessungen der Chipknoten kontinuierlich schrumpfen, stoßen herkömmliche Abscheidetechniken an ihre Grenzen.
Die Abscheidung ultradünner Schichten im Nanobereich erfordert die Atomic Layer Deposition (ALD)-Technologie, die es ermöglicht, Materialien jeweils atomarschichtig abzuscheiden. Membranventile der ALD-Serie werden verwendet, um während des Abscheidungsprozesses zur Herstellung von Halbleiterchips hochpräzise Gasdosen zu liefern.
Eigenschaften:
- Ultrahohe Zyklenlebensdauer mit High-Speed-Betätigung
- Schnelle Reaktion mit Ventilöffnungs- oder -schließzeit von weniger als 5 ms
- Thermischer Aktuator verlängert die Lebensdauer in Anwendungen, bei denen der Körper erhitzt wird
- Geschlossener Sitz für hervorragende Quell- und Schmutzbeständigkeit
- Elgiloy-Membran für hohe Festigkeit und Korrosionsbeständigkeit für eine lange Lebensdauer
- Sitz aus hochreinem PFA mit breitem Spektrum an chemischer Verträglichkeit
- Minimale Partikelerzeugung und Totraum erleichtern das Spülen
- Ventile mit induktiven Sensoren, Magnetventilbaugruppen, Heizpatronen und Thermoelementbohrungen sind erhältlich
Technsiche Daten:
| ALD-3 | ALD-6 | |
|---|---|---|
| Durchflusscoefiizent (Cv) | 0,27 | 0,62 |
| Material | 316L SS/ASTM A479 316L VAR/SEMI F20 316L VIM-VAR /SEMI F20 |
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| Max. Betriebsdruck | Vakuum bis 145 psig (10 bar) | |
| pneum. Antriebsdruck | 60 ~ 90 psig (4.2 ~ 6.2 bar) | |
| Temperatur | Standard Ausführung: 32 ~ 248° F (0~120 °C) Thermale Ausführung: 32 ~ 392 F (0 ~ 200 C) |
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| Öffnungsgröße | 0,16 in. (4.1 mm) | 0,24 in. (6 mm) |
| benetzte Oberflächenrauheit | 5 Ra µin. (0,13 µm) | |
| Polierprozess | elektropoliert | |
| Helium-Leckrate | ≤ 1 x 10-9 mbar l/s (intern & extern) | |
Anwendungsbereiche:
Geeignet für Atomic Layer Deposition (ALD)-Prozesse in den folgenden Halbleiterbereichen
- High-K-Dielektrika und Metallgate
- MEMS
- Optoelektronische Materialien und Geräte
- Diffusionsbarriere für integrierte Schaltkreis-Verbindungsleitungen
- Flachbildschirm (organisches Leuchtdiodenmaterial, OLED)
- Optisches Element
- Solarzelle
- Verschiedene Folientypen (<100 nm)
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